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IPP055N08NF2S：80V，StrongIRFET ? 2 單N溝道功率 MOSFET晶體管，PG-TO220-3

【產(chǎn)品詳情】

IPP055N08NF2S——英飛凌的 StrongIRFET ? 2 功率 MOSFET 80 V 具有 5.5 mOhm 的低 RDS(on)，可滿足從低開關(guān)頻率到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。與之前的技術(shù)相比，IPP055N08NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 40%。

型號：IPP055N08NF2S

封裝：PG-TO220-3

類型：功率MOSFET晶體管

IPP055N08NF2S 產(chǎn)品屬性：

系列：StrongIRFET? 2

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：18.5A（Ta），99A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 55μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2500 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），107W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3

封裝/外殼：TO-220-3

IPP055N08NF2S 產(chǎn)品特性：

卓越的性價比

適用于高和低開關(guān)頻率

行業(yè)標準尺寸封裝

高額定電流

可進行波峰焊

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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