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IPB180N04S4L-H0 是英飛凌推出的一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? T2 40V 系列，采用 TO-263-7（D2Pak）封裝。該器件具有 超低導通電阻（RDS(on) = 1mΩ @ 10V VGS） 和 高電流承載能力（180A 連續(xù)漏極電流），專為 汽車電子、工業(yè)電機驅動及高功率開關電源 設計。

IPB180N04S4L-H0 核心特性

低導通電阻：最大導通電阻（RDS(on)）為 1.0 mΩ（@ VGS=10V，ID=100A），有助于減少功率損耗

高電流能力：連續(xù)漏極電流（ID）可達 180A

高雪崩能力：100% 雪崩測試，確保在過載條件下也能可靠工作

寬工作溫度范圍：工作溫度范圍為 -55°C 至 +175°C

環(huán)保特性：符合 RoHS 標準，無鉛鍍層

封裝形式：采用 TO-263-7 封裝

IPB180N04S4L-H0 規(guī)格參數(shù)

漏源極電壓（VDS）：最大 40V

漏極電流（ID）：最大 180A

導通電阻（RDS(on)）：在 VGS = 10V 時，最大 1.0 mΩ

柵極閾值電壓（VGS(th)）：1.2V 至 2.2V

柵極電荷（QG）：最大 310nC

輸入電容（Ciss）：24.44nF（@ VDS=25V）

反向傳輸電容（Crss）：370pF（@ VDS=25V）

工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

IPB180N04S4L-H0 應用領域

汽車電子：適用于汽車電子系統(tǒng)中的高功率開關應用。

開關電源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 轉換器。

電機驅動：適用于工業(yè)自動化和電動汽車。

太陽能逆變器：用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的電力轉換。

不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)中作為功率開關。

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