ECB2R8M12YM3是 Wolfspeed 公司推出的碳化硅功率模塊,屬于YM系列六包三相模塊,額定電壓為1200V,額定電流460A,導通電阻2.8mΩ,采用 Gen 3 工藝,最高結(jié)溫可達175°C。該模塊尺寸為154.5×126.5×32mm,適用于汽車電子領(lǐng)域。
主要規(guī)格
產(chǎn)品:ECB2R8M12YM3
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:6 N 溝道(三相逆變器)
FET 功能:-
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):545A
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.7 毫歐 @ 450A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 125mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):1272nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):38500pF @ 800V
功率 - 最大值:1.485kW(Tj)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應用場景
ECB2R8M12YM3模塊主要用于汽車電子領(lǐng)域的高性能功率轉(zhuǎn)換場景,如電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)等。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
ECB4R3M12YM3
ECB4R3M12YM3是 Wolfspeed 推出的一款1200V碳化硅功率模塊 ,屬于YM系列六單元模塊。該模塊采用行業(yè)標準封裝技術(shù),優(yōu)化電源端子布局,可降低電感并減少過沖電壓,同時具備低開關(guān)損耗特性。核心參數(shù)技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(…ECB2R1M12YM3
ECB2R1M12YM3是 Wolfspeed 推出的 碳化硅功率模塊 ,屬于六單元模塊 (YM系列),適用于汽車電子領(lǐng)域。以下是其核心參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:6 N 溝道(三相逆變器)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):700A不同 Id、Vgs 時…C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…電話咨詢:86-755-83294757
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