商品名稱:AIKB30N65DH5ATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):AIKB30N65DH5ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
AIKB30N65DH5ATMA1 TRENCHSTOP? 5 H5(高速5)IGBT是一款高速器件,設(shè)計(jì)具有終極效率,適用于開關(guān)速率大于30kHz的應(yīng)用。該款高速5 IGBT采用TRENCHSTOP? 5技術(shù),集成了RAPID 1快速柔性反向并聯(lián)二極管。H5 IGBT在硬開關(guān)和諧振拓?fù)渲刑峁┩愖罴研?,并且是上一代IGBT的即插即用替代品。
AIKB30N65DH5ATMA1 產(chǎn)品屬性
IGBT 類型: NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 30 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值): -
開關(guān)能量: -
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值: -
測試條件: -
工作溫度: -
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-3-2
典型應(yīng)用包括UPS、焊接變流器、太陽能電池組列逆變器和中高頻開關(guān)變頻器。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…TDA88240
TDA88240 是由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的 DrMOS(驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 集成)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理和電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)中。1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號(hào)傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對(duì)于伏的 SiC MOSFET。班級(jí)最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級(jí),可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級(jí),可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,專為SiC MOSFET設(shè)計(jì),適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù),實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)易于使用的預(yù)配置,無需編程引腳兼容 …電話咨詢:86-755-83294757
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