ISL95870BIRZ 是一款單相同步降壓 PWM 控制器,采用 QFN-EP-20 封裝,專為 GPU 核心電源、移動 PC 主板、嵌入式系統(tǒng)等應用設(shè)計。該芯片基于 Robust Ripple Regulator?(R3)技術(shù),提供高精度電壓調(diào)節(jié)、優(yōu)異的瞬態(tài)響應和低噪聲性能,適用于 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換需求。
ISL95870BIRZ 核心特性
寬輸入電壓范圍:3.3V ~ 25V,適用于電池供電或 AC 適配器系統(tǒng)
可調(diào)輸出電壓:0.5V ~ 5V,滿足 GPU 核心供電需求
高開關(guān)頻率:支持 300kHz ~ 1MHz(可編程),優(yōu)化 EMI 性能
遠程電壓檢測:提高負載點(PoL)調(diào)節(jié)精度
自動二極管仿真模式:提升輕載效率
Power-Good 監(jiān)控:提供軟啟動和故障檢測功能
寬溫工作范圍:-40°C ~ +100°C,適應嚴苛環(huán)境
ISL95870BIRZ 產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: 開關(guān)控制器
拓撲結(jié)構(gòu): Buck
輸出端數(shù)量: 1 Output
開關(guān)頻率: 300 kHz to 1 MHz
輸出電壓: 500 mV to 5 V
輸出電流: 30 A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 100 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-EP-20
ISL95870BIRZ 典型應用
筆記本電腦 GPU 核心電源
移動 PC 主板(ICH/GMCH 供電)
嵌入式系統(tǒng) DC-DC 轉(zhuǎn)換
工業(yè)控制電源管理
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機在半導體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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