8P34S1102NLGI是一款高性能差分LVDS扇出緩沖器。該器件設(shè)計用于1PPS信號或高頻、極低加性相位噪聲時鐘和數(shù)據(jù)信號的扇出。8P34S1102NLGI支持故障安全操作,采用1.8V或2.5V電源供電。保證輸出到輸出和器件到器件偏斜特性使得該緩沖器非常適合要求明確性能和可重復(fù)性的時鐘分配應(yīng)用。提供一路差分輸入和兩路低偏斜輸出。8P34S1102NLGI針對低功耗和低加性相位噪聲進(jìn)行了優(yōu)化。
性能參數(shù)
類型:扇出緩沖器(分配)
電路數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:1:2
差分 - 輸入:輸出:是/是
輸入:CML,LVDS
輸出:LVDS
頻率 - 最大值:1.2 GHz
電壓 - 供電:1.71V ~ 1.89V
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-VFQFN
8P34S1102NLGI時鐘緩沖器主要用于信號分配和時鐘分布,支持低噪聲、低功耗設(shè)計。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置。…AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產(chǎn),支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領(lǐng)域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標(biāo)準(zhǔn)塊架構(gòu)支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達(dá) 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達(dá) 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。其技術(shù)參數(shù)如下:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設(shè)接口(SPI)NOR閃存器件設(shè)計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲,和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達(dá)13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設(shè)接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應(yīng)用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內(nèi)存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢:86-755-83294757
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