商品名稱:PSRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S27KS0642GABHI023 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,帶有 HYPERBUS? 接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS? 接口主控器(主機)不主動讀寫存儲器時,器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機不需要管理任何刷新操作,因此在主機看來,DRAM 陣列就好像內(nèi)存使用了無需刷新即可保留數(shù)據(jù)的靜態(tài)單元。因此,將該存儲器描述為偽靜態(tài) RAM(PSRAM)更為準(zhǔn)確。
S27KS0642GABHI023 的特點
HYPERBUSTM 接口
支持 1.8V / 3.0 V 接口
單端時鐘 (CK) - 11 個總線信號
可選差分時鐘 (CK, CK#) - 12 個總線信號
芯片選擇 (CS#)
8 位數(shù)據(jù)總線 (DQ[7:0])
硬件復(fù)位 (RESET#)
雙向讀寫數(shù)據(jù)選通 (RWDS)
在所有事務(wù)開始時輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀數(shù)據(jù)選通輸出
在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)掩碼輸入
-可選 DDR 中心對齊讀取選通 (DCARS)
在讀取事務(wù)期間,RWDS 被第二個時鐘偏移,與 CK 相移
相移時鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動 RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿
最大時鐘頻率為 200 MHz
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400 MBps(3,200 Mbps)
可配置的突發(fā)特性:
線性突發(fā)
混合選項 - 一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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