商品名稱：CY8C4146LQS-S453T
數(shù)據(jù)手冊：
CY8C4146LQS-S453T.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：40-QFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
CY8C4146LQS-S453T 器件的閃存模塊帶有一個(gè)閃存加速器，與 CPU 緊密耦合，以提高閃存塊的平均訪問時(shí)間。 低功耗閃存塊設(shè)計(jì)為在 48MHz 頻率下提供兩個(gè)等待狀態(tài)的訪問時(shí)間。 閃存加速器的平均單周期 SRAM 訪問性能達(dá)到 85%。
特點(diǎn)
時(shí)鐘源
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
產(chǎn)生 48MHz 頻率的 PLL
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
±2% 內(nèi)部主振蕩器 (IMO)
32 kHz 內(nèi)部低功耗振蕩器 (ILO)
LCD 驅(qū)動(dòng)能力
GPIO 上的 LCD 段驅(qū)動(dòng)功能
可編程數(shù)字
可編程邏輯塊允許在端口輸入和輸出上執(zhí)行布爾運(yùn)算
低功耗 1.71 V 至 5.5 V 工作電壓
深度睡眠模式，具有工作模擬和 2.5 ?A 數(shù)字系統(tǒng)電流
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，由Infineon生產(chǎn)，屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號傳輸，并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對于伏的 SiC MOSFET。班級最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…
1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC，采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級，峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級，可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率，通過…
1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動(dòng)器，采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級，峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級，可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率，通過…
1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌（Infineon）推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，專為SiC MOSFET設(shè)計(jì)，適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù)，實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出電流（20A），傳播延遲為60ns（典型值）。產(chǎn)品優(yōu)勢易于使用的預(yù)配置，無需編程引腳兼容 …
1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù)，通過電流隔離實(shí)現(xiàn)雙向信號傳輸。1EDI3030AS具備以下特征：單通道隔離式 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢：86-755-83294757
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