商品名稱:TLE9855QX
數(shù)據(jù)手冊(cè):TLE9855QX.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:48-VFQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
TLE9855QX微控制器集成了Arm? Cortex? M0內(nèi)核和NFET驅(qū)動(dòng)器。該IC具有四個(gè)完全集成的NFET驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)可實(shí)現(xiàn)低壓運(yùn)行的電荷泵、可編程電流以及電流斜率控制。四個(gè)完全集成的NFET驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過優(yōu)化,可通過四個(gè)外部功率NFET驅(qū)動(dòng)兩相電機(jī)。TLE985x IC采用無引線VQFN-48封裝,可節(jié)約電路板空間。
產(chǎn)品規(guī)格:
核心處理器:ARM? Cortex?-M0
內(nèi)核規(guī)格:32 位單核
速度:40MHz
連接能力:LINbus,SSC,UART/USART
外設(shè):欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):10
程序存儲(chǔ)容量:96KB(96K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:閃存
EEPROM 容量:4K x 8
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):5.5V ~ 28V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 9x8b,12x10b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:PG-VQFN-48-31
基本產(chǎn)品編號(hào):TLE9855
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號(hào)傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對(duì)于伏的 SiC MOSFET。班級(jí)最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級(jí),可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級(jí),峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級(jí),可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,專為SiC MOSFET設(shè)計(jì),適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù),實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)易于使用的預(yù)配置,無需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù),通過電流隔離實(shí)現(xiàn)雙向信號(hào)傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:?jiǎn)瓮ǖ栏綦x式 SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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