商品名稱:CY8C4124LQS-S413T
數(shù)據(jù)手冊:CY8C4124LQS-S413T.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:40-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CY8C4124LQS-S413T 是一種可擴(kuò)展、可重新配置的平臺架構(gòu),適用于采用 Arm? Cortex?-M0+ CPU 的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器系列,同時符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)。
CY8C4124LQS-S413T 是基于 Arm? Cortex?-M0+ CPU,Automotive PSoC? 4100S 系列,32 位微控制器 IC。
產(chǎn)品屬性
核心處理器: ARM? Cortex?-M0
內(nèi)核尺寸:32位
速度:24MHz
輸入/輸出數(shù)量:34
程序存儲器大?。?6KB(16K x 8)
程序存儲器類型:FLASH 閃存
RAM 大小: 4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
振蕩器類型 內(nèi)部
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 16x10b、12x12b SAR;D/A 2x7b
工作溫度:-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼:40-UFQFN
產(chǎn)品特性
32 位 MCU 子系統(tǒng)
48-MHz Arm? Cortex?-M0+ CPU
高達(dá) 128 KB 的閃存,帶讀取加速器
高達(dá) 16 KB 的 SRAM
8 通道 DMA 引擎
低功耗 1.71 V 至 5.5 V 工作電壓
深度睡眠模式,具有可操作的模擬和 2.5 ?A 數(shù)字系統(tǒng)電流
4 至 33 MHz 外部晶體振蕩器 (ECO)
PLL 生成 48 MHz 頻率
32 kHz 手表晶體振蕩器 (WCO)
±2% 內(nèi)部主振蕩器 (IMO)
32 kHz 內(nèi)部低功耗振蕩器 (ILO)
真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器 (TRNG)
多達(dá) 54 個可編程 GPIO 引腳
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動器,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動器,專為SiC MOSFET設(shè)計,適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù),實現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢易于使用的預(yù)配置,無需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動器,其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù),通過電流隔離實現(xiàn)雙向信號傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:單通道隔離式 SiC MOSFET 驅(qū)動器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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