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商品名稱(chēng):NTBG014N120M3P
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTBG014N120M3P.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET是1200V M3P平面SiC MOSFET系列的一部分。ON MOSFET優(yōu)化用于電源應(yīng)用。該平面技術(shù)可在柵極處于負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。該系列在使用18V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)具有最佳性能,但也可與15V柵極驅(qū)動(dòng)配合使用。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):104A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):20 毫歐 @ 74A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.63V @ 37mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):337 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):6313 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):454W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線(xiàn)+接片),TO-263CA
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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