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SCT4013DE是有助于應用產(chǎn)品實現(xiàn)小型化和更低功耗的SiC MOSFET。

產(chǎn)品屬性

制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247N-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:750 V

Id-連續(xù)漏極電流:105 A

Rds On-漏源導通電阻:16.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 21 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.8 V

Qg-柵極電荷:170 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:312 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:21 ns

正向跨導 - 最小值:32 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:57 ns

工廠包裝數(shù)量: 30

子類別:MOSFETs

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:83 ns

典型接通延遲時間:20 ns

零件號別名:SCT4013DE

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