商品名稱:FAM65CR51DZ2
數(shù)據(jù)手冊:FAM65CR51DZ2.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:12-SSIP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FAM65CR51DZ2是一款配置2個獨立式的650V 功率集成模塊 (PIM)。該模塊利用汽車點火IGBT和智能功率模塊 (IPM) 開發(fā)方面的豐富經(jīng)驗以及封裝專業(yè)技術(shù)制造而成,是完全符合嚴(yán)格行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的電源解決方案。此外,該模塊解決方案為用戶提供了針對硅和封裝的完全集成供應(yīng)鏈,可確保高質(zhì)量和成本效率。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:-
配置:2 個獨立式
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):33 A
功率 - 最大值:160 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):-
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):4.86 nF @ 400 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:12-SSIP 裸焊盤,成型引線
供應(yīng)商器件封裝:APMCD-B16
基本產(chǎn)品編號:FAM65
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅堋<夹g(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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