商品名稱:S27KL0643DPBHB023
數(shù)據(jù)手冊(cè):S27KL0643DPBHB023.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
英飛凌?64Mb HYPERRAM?器件是一種高速CMOS、自刷新DRAM,具有xSPI(八進(jìn)制)接口。該DRAM陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng)xSPI接口主站(主機(jī))沒(méi)有主動(dòng)讀寫存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯對(duì)DRAM陣列的刷新操作進(jìn)行管理。由于主機(jī)不需要管理任何刷新操作,DRAM陣列在主機(jī)看來(lái)就像內(nèi)存使用了靜態(tài)單元,無(wú)需刷新即可保留數(shù)據(jù)。因此,該存儲(chǔ)器被更準(zhǔn)確地描述為偽靜態(tài)RAM(PSRAM)。
由于DRAM單元在讀或?qū)懡灰灼陂g不能被刷新,因此要求主機(jī)限制讀或?qū)懲话l(fā)傳輸?shù)拈L(zhǎng)度,以便在需要時(shí)進(jìn)行內(nèi)部邏輯刷新操作。如果存儲(chǔ)器顯示需要刷新操作,主機(jī)必須限制交易的持續(xù)時(shí)間,并在新交易開(kāi)始時(shí)允許額外的初始訪問(wèn)延時(shí)。
S27KL0643DPBHB023產(chǎn)品屬性:
系列: HyperRAM? KL
存儲(chǔ)器類型: 易失
存儲(chǔ)器格式: PSRAM
技術(shù): PSRAM(偽 SRAM)
存儲(chǔ)容量: 64Mbit
存儲(chǔ)器組織: 8M x 8
存儲(chǔ)器接口: SPI - 八 I/O
時(shí)鐘頻率: 166 MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè): 36ns
訪問(wèn)時(shí)間: 36 ns
電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 24-VBGA
供應(yīng)商器件封裝: 24-FBGA(6x8)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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