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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IMZC120R017M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMZC120R017M2H
封裝
TO-247-4
描述
1200V、17mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管,TO-247-4

產(chǎn)品描述

IMZC120R017M2H 是一款1200V、17mΩ、CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管,采用TO-247-4封裝,以下是IMZC120R017M2H 的詳細(xì)介紹:


型號(hào):IMZC120R017M2H

封裝:TO-247-4

類型:CoolSiC? MOSFET 分立式晶體管


IMZC120R017M2H - 產(chǎn)品屬性:

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 97 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 17 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.1 V

Qg-柵極電荷: 89 nC

最小工作溫度: - 55℃

最大工作溫度: + 175℃

Pd-功率耗散: 382 W


IMZC120R017M2H - 特征描述:

在 VGS = 18 V、Tvj = 25°C 時(shí),RDS(on) = 17 mΩ

開關(guān)損耗極低

更寬的最大 VGS 范圍 最大 VGS 范圍從 -10 V 至 +25 V

過載工作溫度可達(dá) Tvj = 200°C

短路耐受時(shí)間 2 μs

基準(zhǔn)柵極閾值電壓 4.2 V

穩(wěn)健的寄生導(dǎo)通

.XT 互連技術(shù)


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描述

FF3MR12KM1HP

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TO-247-4

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IMT65R026M2H

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PG-HSOF-8

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G2R1000MT33J

Navitas

TO-263-7

3000

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LSIC1MO120G0025

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TO-247-4

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NTBL023N065M3S

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H-PSOF-8

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MSC080SMA120SA

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TO-263-7

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TO-263-7

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MSC040SMA120SD

Microchip

D3PAK-3

2000

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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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