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IMZC120R053M2是CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V、53 mΩ G2 采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝，在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢的基礎上進行了重大改進，為成本優(yōu)化、高效、緊湊、易于設計和可靠的系統(tǒng)提供了先進的解決方案。它為所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合提供了更好的硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓撲。

IMZC120R053M2器件規(guī)格

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

封裝 / 箱體: TO-247-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 38 A

Rds On-漏源導通電阻: 53 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.1 V

Qg-柵極電荷: 30 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 182 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 5.9 ns

正向跨導 - 最小值: 9 S

上升時間: 5.5 ns

技術(shù): SiC

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: SiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時間: 10 ns

典型接通延遲時間: 4.5 ns

特征

在 VGS = 18 V、Tvj = 25°C 時，RDS(on) = 53 mΩ

開關(guān)損耗極低

更寬的最大 VGS 范圍 最大 VGS 范圍從 -10 V 至 +25 V

過載工作溫度可達 Tvj = 200°C

短路耐受時間 2 μs

基準柵極閾值電壓 4.2 V

穩(wěn)健的寄生導通

.XT 互連技術(shù)

更嚴格的 VGS(th) 參數(shù)分布

潛在應用

通用驅(qū)動器 (GPD)

電動汽車充電

在線 UPS/工業(yè) UPS

太陽能優(yōu)化器

組串逆變器

儲能系統(tǒng) (ESS)

焊接

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

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