STM32MP157DAD1器件基于高性能雙核 Arm? Cortex?-A7 32 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率高達 800 MHz。Cortex-A7 處理器包括每個 CPU 的 32-Kbyte L1 指令高速緩存、每個 CPU 的 32-Kbyte L1 數(shù)據(jù)高速緩存和 256-Kbyte level2 高速緩存。Cortex-A7 處理器是一款非常節(jié)能的應(yīng)用處理器,旨在為高端可穿戴設(shè)備和其他低功耗嵌入式及消費類應(yīng)用提供豐富的性能。它的單線程性能比 Cortex-A5 高出 20%,與 Cortex-A9 性能相當(dāng)。
Cortex-A7 集成了高性能 Cortex-A15 和 Cortex-A17 處理器的所有功能,包括硬件虛擬化支持、NEON? 和 128 位 AMBA?4 AXI 總線接口。
STM32MP157DAD1產(chǎn)品屬性
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 微處理器 - MPU
核心: ARM Cortex A7, ARM Cortex M4
內(nèi)核數(shù)量: 2 Core
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit
最大時鐘頻率: 209 MHz, 800 MHz
封裝 / 箱體: TFBGA-257
L1緩存指令存儲器: 32 kB
L1緩存數(shù)據(jù)存儲器: 32 kB
工作電源電壓: 1.34 V
系列: STM32MP1
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
最小工作溫度: - 20 C
最大工作溫度: + 105 C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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