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IAUMN08S5N013G是N通道汽車用MOSFET符合汽車應(yīng)用類AEC-Q101標準。這些MOSFET非常適合用于燃油噴射系統(tǒng)、車載無線充電應(yīng)用以及稱為Board Net的C02減排48V電源子系統(tǒng)。

IAUMN08S5N013G產(chǎn)品屬性

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-HSOG-4-1

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 350 A

Rds On-漏源導通電阻: 1.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.8 V

Qg-柵極電荷: 138 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 307 W

通道模式: Enhancement

下降時間: 51 ns

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 15 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 48 ns

典型接通延遲時間: 24 ns

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