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商品名稱(chēng):MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IQDH35N03LM5SC(N-通道功率 MOSFET 晶體管):OptiMOS? 功率 MOSFET 30V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。
概述:
IQDH35N03LM5SC - 功率 MOSFET 晶體管,具有 0.35 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。
IQDH35N03LM5SC 優(yōu)勢(shì):
傳導(dǎo)損耗最小
降低電壓過(guò)沖
提高最大電流能力
快速開(kāi)關(guān)
需要并聯(lián)的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
散熱性能提高
易于熱管理
最佳開(kāi)關(guān)性能
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝
IQDH35N03LM5SC - 產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):66A(Ta),700A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.35 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 1.46mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):114 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):18000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),278W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-WHSON-8-U02
封裝/外殼:8-PowerWDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IR2304STRPBF
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DZ540N26K是一款 50mm 單整流二極管模塊,具有2600V的電壓和540A的電流容量??。該模塊采用壓力接觸技術(shù),具有電氣絕緣基板,適用于高可靠性的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝?;拘畔⑿吞?hào):DZ540N26K類(lèi)型:二極管模塊技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):2600 V電流 - 平均整流 (…IDW10G120C5B
IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅(SiC)肖特基二極管,屬于 CoolSiC? 第五代 產(chǎn)品系列,采用 TO-247-3 封裝BSZ42DN25NS3G
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