商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
AIMCQ120R160M1T器件是一款1200 V、18.6 A的汽車(chē)用CoolSiC MOSFET,專(zhuān)門(mén)針對(duì)OBC/DC-DC的800V汽車(chē)架構(gòu)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
AIMCQ120R160M1T的規(guī)格:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.6A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):200 毫歐 @ 5A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.1V @ 1.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):14 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):350 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):125W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車(chē)級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22
應(yīng)用:
車(chē)載充電器
DC/DC轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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CY15B204QSN-108SXET是一款高性能、符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的 4 Mbit 非易失性存儲(chǔ)器,專(zhuān)為高可靠性汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì),支持高達(dá) 125 C 的溫度。 它配備高速、低引腳數(shù) QSPI 接口,可提供高達(dá) 432Mbits/s 的讀/寫(xiě)帶寬。與串行閃存不同,它以總線速度執(zhí)行寫(xiě)入作,確保無(wú)寫(xiě)入延遲,…ICE5GR4780AG
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ICE5GR1680AG 是由 Infineon 推出的一款最新第5代固定頻率 CoolSET? 控制器,集成了最新一代800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7,采用 DSO-12 封裝??。該器件具有以下主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):125kHz 最大開(kāi)關(guān)頻率,帶有 800V 集成 MOSFET采用通用寬域輸入 (85~300VAC) DCM 設(shè)計(jì),…電話咨詢:86-755-83294757
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