商品名稱:IDWD20G120C5XKSA1
數(shù)據(jù)手冊:IDWD20G120C5XKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-2
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IDWD20G120C5XKSA1 器件是1200V第五代CoolSiC?肖特基二極管,它采用TO-247 真2腳封裝,可輕松更換現(xiàn)下通用的Si二極管。該器件具有同類產(chǎn)品中的最佳正向電壓(VF)、隨溫度變化最小的VF以及最高的浪涌電流能力。該系列產(chǎn)品能夠以具有吸引力的成本實(shí)現(xiàn)市場領(lǐng)先的效率和更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品規(guī)格:
技術(shù):SiC(碳化硅)肖特基
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
電流 - 平均整流 (Io):62A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.65 V @ 20 A
速度:無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時間 (trr):0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:166 μA @ 1200 V
不同 Vr、F 時電容:1368pF @ 1V,1MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-2
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-2
工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C
基本產(chǎn)品編號:IDWD20
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…1EDI3038AS
1EDI3038AS是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 SiC MOSFET 驅(qū)動器,由Infineon生產(chǎn),屬于EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器系列。該系列可提供電流隔離和雙向信號傳輸,并具有高環(huán)境溫度能力。關(guān)鍵特性對于伏的 SiC MOSFET。班級最多 1200 人CMTI 高達(dá) 150 V/ns8 kV 峰值增強(qiáng)。絕緣 (DI…1EDI3028AS
1EDI3028AS是 Infineon公司推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的EiceDRIVER? 高壓柵極驅(qū)動器IC,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3028AS為高功率開關(guān)提供了強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 15 A。1EDI3028AS具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3026AS
1EDI3026AS屬于英飛凌的EiceDRIVER?高壓柵極驅(qū)動器 IC,是一款用于汽車應(yīng)用的高壓 IGBT 驅(qū)動器,采用無芯變壓器 (CT) 技術(shù)提供 8 kV 電流絕緣。1EDI3026AS為高功率開關(guān)提供強(qiáng)大的輸出級,峰值電流高達(dá) 20 A。它具有分離輸出級,可在開啟和關(guān)閉期間實(shí)現(xiàn)不同的轉(zhuǎn)換率,通過…1EDI3031AS
1EDI3031AS是英飛凌(Infineon)推出的一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動器,專為SiC MOSFET設(shè)計,適用于1200V電力電子系統(tǒng)。該器件采用加厚型無磁芯變壓器技術(shù),實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出電流(20A),傳播延遲為60ns(典型值)。產(chǎn)品優(yōu)勢易于使用的預(yù)配置,無需編程引腳兼容 …1EDI3030AS
EiceDRIVER ? 1EDI3030AS是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的單通道高壓柵極驅(qū)動器,其采用英飛凌的無芯變壓器技術(shù),通過電流隔離實(shí)現(xiàn)雙向信號傳輸。1EDI3030AS具備以下特征:單通道隔離式 SiC MOSFET 驅(qū)動器適用于高達(dá) 1200 V 的 SiC MOSFET高達(dá) 150 V/ns 的 CMTI8 kV 基本絕緣6.8 kV…電話咨詢:86-755-83294757
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