GD20PJX65F1S - 具有超低傳導(dǎo)損耗和短路耐用性的 650V/20A IGBT模塊,F(xiàn)1封裝
型號:GD20PJX65F1S(IGBT 模塊)
封裝:F1
額定電流:20A
芯片類型:Trench-FS Gen1
額定電壓:650V
電路結(jié)構(gòu):PIM/功率集成模塊
特征:平板基板
導(dǎo)通壓降VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.45V
GD20PJX65F1S - 產(chǎn)品特征:
低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術(shù)
6μs 短路能力
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結(jié)溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術(shù)的隔離式散熱器
GD20PJX65F1S - 典型應(yīng)用:
用于電機驅(qū)動的變頻器
交直流伺服驅(qū)動放大器
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù),是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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