GD150PIX120C6SNA（IGBT模塊，C6封裝）：1200V/150A PIM/功率集成模塊，具有超低傳導(dǎo)損耗和短路耐用性。
型號：GD150PIX120C6SNA（IGBT 模塊）
封裝：C6
額定電流：150A
芯片類型：Trench-FS Gen1
額定電壓：1200V
電路結(jié)構(gòu)：PIM/功率集成模塊
特征：平板基板
導(dǎo)通壓降VCE(sat) Tvj=25℃ typ：1.7V
GD150PIX120C6SNA - 等效電路示意圖：
GD150PIX120C6SNA - 產(chǎn)品特征：
低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術(shù)
10μs 短路能力
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結(jié)溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術(shù)的隔離銅基板
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)，是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應(yīng)用而設(shè)計。DG75H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術(shù)開關(guān)損耗低最高結(jié)溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應(yīng)用太陽能電子焊機不…
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