GD200TSS100L6S - 1000V，200A 升壓 IGBT 模塊，L6封裝
型號：GD200TSS100L6S
封裝：L6
額定電流：200A
芯片類型：Trench-FS Gen1
額定電壓：1000V
電路結構：BOOST/升壓
特征：平板基板
描述：STARPOWER IGBT 功率模塊具有超低傳導損耗和短路耐用性。它們專為 3 電平應用等應用而設計。
GD200TSS100L6S - 產品特性：
低 VCE（飽和）溝槽 IGBT 技術
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結溫 175°C
快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術的隔離銅基板
GD200TSS100L6S - 典型應用：
太陽能
三電平應用
UPS 系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)、生產及銷售服務，是目前國內功率半導體器件領域的領軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設有子公司，并在國內和歐洲德國和瑞士設有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
ID10FFX60U5SS - 600V，10A 緊湊型 - IPM 模塊，采用最新的溝槽式 IGBT 技術，實現(xiàn)了良好的總體損耗權衡。型號：ID10FFX60U5SS（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U5額定電壓：600V額定電流：10A芯片類型：Trench-FS Gen1電路結構：Sixpack/六單元ID10FFX60U5SS - 引腳配置：ID1…
ID05FFX60U5SS
ID05FFX60U5SS - 600V，5A 緊湊型 - IPM 模塊，U5封裝型號：ID05FFX60U5SS（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U5額定電流：5A芯片類型：Trench-FS Gen1額定電壓：600V電路結構：Sixpack/六單元ID05FFX60U5SS - 產品特點：通過 UL 1557 認證。采用最新的溝槽式 IGBT 技術，實現(xiàn)了…
DG75H12T2
DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG75H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG75H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…
DG50H12T2
DG50H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG50H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG50H12T2 的典型應用用于電機驅動的逆…
DG40H12T2
DG40H12T2 是 IGBT 功率分立器件，具有超低的傳導損耗和開關損耗。它們專為通用逆變器和 UPS 等應用而設計。DG40H12T2 的特點低 VCE（飽和）溝槽式 IGBT 技術開關損耗低最高結溫 175℃正溫度系數(shù) VCE(sat)快速和軟反向恢復反并聯(lián) FWDDG40H12T2 的典型應用太陽能電子焊機不…
ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V，50A 緊湊型 - IPM 模塊，U3封裝ID50FFX60U3S- 產品規(guī)格：型號：ID50FFX60U3S（緊湊型 - IPM 模塊）封裝：U3額定電壓：600V額定電流：50A導通壓降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ：1.70V芯片類型：Trench-FS Gen1電路結構：Sixpack/六單元ID50FFX60U3S - 產品…電話咨詢：86-755-83294757
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