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C2M0080120D是一款1200 V, 36 A碳化硅功率MOSFET，具有同類中最低的開關(guān)損耗以及超高的開關(guān)頻率，提供世界級的效率。這些MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，適用于能效關(guān)鍵型高壓應(yīng)用，如高壓電源、輔助電力電子電路、3-10kW太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動器、大功率直流數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)以及功率因數(shù)校正電路。

C2M0080120D的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：98 毫歐 @ 20A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：62 nC @ 5 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：950 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：192W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：C2M0080120

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