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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號(hào):NTC040N120SC1

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:ON

年份:24+

封裝:模具

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號(hào)
NTC040N120SC1
封裝
模具
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die

產(chǎn)品描述

NTC040N120SC1 1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET與硅器件相比,具有出色的開關(guān)性能和高可靠性。 這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。


NTC040N120SC1的規(guī)格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:10.4 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:20 S

Id-連續(xù)漏極電流:60 A

最大工作溫度:+ 175°C

最小工作溫度:- 55°C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

通道數(shù)量:1 Channel

Pd-功率耗散:348 W

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷:106 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:56 mOhms

上升時(shí)間:41 ns

系列:NTC040N120SC1

工廠包裝數(shù)量:1

子類別:Transistors

技術(shù):SiC

商標(biāo)名:EliteSiC

晶體管極性:N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:33 ns

典型接通延遲時(shí)間:18 ns

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓:- 15 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.3 V


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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…

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