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NTHL160N120SC1是碳化硅（SiC）MOSFET–EliteSiC，N溝道單FET晶體管，160 mohm，1200V，M1，封裝為TO-247-3L。

產(chǎn)品屬性
FET型N溝道
技術(shù)SiCFET（碳化硅）
漏極-源極電壓（Vdss）1200 V
電流-25°C時(shí)的連續(xù)漏極（Id）17A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）20V
Id時(shí)的Rds On（Max），12A、20V時(shí)的Vgs 224mOhm
功耗（最大）119W（Tc）
工作溫度-55°C~175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3

特征
典型RDS（開啟）=160米
超低柵極電荷（QG（tot）=34 nC）
低有效輸出電容（Coss=50 pF）
100%UIL測(cè)試

典型應(yīng)用
不間斷電源
直流-直流轉(zhuǎn)換器
升壓逆變器

N溝道晶體管NTHL160N120SC1集成電路芯片TO-247-3 SIC MOSFET

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