商品名稱:NTBG015N065SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTBG015N065SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
NTBG015N065SC1碳化硅(SiC)MOSFET-EliteSiC,12 mohm,650 V,M2,D2PAK-7L
概述
碳化硅(SiC)MOSFET采用了一種全新的技術(shù),與硅相比,該技術(shù)提供了卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外,低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括最高的效率、更快的操作頻率、增加的功率密度、減少的EMI和減小的系統(tǒng)尺寸。
特征
?類型。RDS(開啟)=12 m@VGS=18 V
類型。RDS(開啟)=15 m@VGS=15 V
?超低柵極電荷(QG(tot)=283 nC)
?低有效輸出電容(Coss=424 pF)
?100%雪崩測(cè)試
?TJ=175°C
?該設(shè)備不含鹵化物,符合RoHS要求,可豁免7a,Pb?Free 2LI(在二級(jí)互連上)
典型應(yīng)用
?SMPS(開關(guān)模式電源)
?太陽能逆變器
?UPS(不間斷電源)
?儲(chǔ)能器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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