NTMYS014N06CLTWG適用于緊湊和高效設(shè)計的工業(yè)用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。
特點
? 占用空間?。?x6 毫米),設(shè)計緊湊
? 低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
? 低 QG 和電容,將驅(qū)動器損耗降至最低
? LFPAK4 封裝,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
? 這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :12A(Ta),36A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 15 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2V @ 25μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 9.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 620 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) :3.8W(Ta),37W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: LFPAK4(5x6)
封裝/外殼: SOT-1023,4-LFPAK
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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