商品名稱：NVMFD6H846NLT1G
數(shù)據(jù)手冊：
NVMFD6H846NLT1G.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-DFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NVMFD6H846NLT1G 是一款采用5x6mm扁平引線封裝的汽車用 80V, 31A 功率MOSFET，專為緊湊高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。可濕側(cè)面選項可用于增強(qiáng)光學(xué)檢測。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N-通道（雙）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：80V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9，4A（Ta），31A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：15 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 21μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：900pF @ 40V
功率 - 最大值：3，2W（Ta），34W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級：汽車級
資質(zhì)：AEC-Q101
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標(biāo)記（SO8FL-雙通道）
基本產(chǎn)品編號：NVMFD6
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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