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NVMFS5C466NLT1G - 40V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品概述

NVMFS5C466NLT1G 汽車功率 MOSFET 晶體管采用 5 x 6 毫米扁平引線封裝，專為緊湊型高效設計而設計，具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側(cè)翼選件。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET，具有 PPAP 能力，適合汽車應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型 N 通道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss） 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 16A（Ta），52A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 7.3 毫歐 @ 10A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 30μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 16 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 860 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 3.5W（Ta），37W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級 汽車級  

資質(zhì) AEC-Q101  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 5-DFN（5x6）（8-SOFL）  

封裝/外殼 8-PowerTDFN，5 引線 

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