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IRFP4332PBF 功率 MOSFET 系列針對低 RDS（導通）和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅固性的低頻應用。全面的產品組合可滿足包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉換器在內的廣泛應用。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：250 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：57A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：33 毫歐 @ 35A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：150 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5860 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：360W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247AC

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● SMPS

● 不間斷電源

● 太陽能逆變器

● 直流電機驅動器

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