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商品型號:IMZA120R014M1H

商品名稱:IMZA120R014M1H

數(shù)據(jù)手冊:IMZA120R014M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:21+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:240

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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMZA120R014M1H
封裝
TO-247-4
描述
采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

產(chǎn)品描述

IMZA120R014M1H 采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng),從而實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。


特征描述

出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

高閾值電壓,Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓,實現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動

寬柵源電壓范圍

堅固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)

關(guān)斷損耗受溫度影響小

.XT擴散焊技術(shù),可實現(xiàn)一流的熱性能


應(yīng)用領(lǐng)域

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常見問題

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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