商品名稱:STB30N65DM6AG
數(shù)據(jù)手冊:STB30N65DM6AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STB30N65DM6AG 是采用 D2PAK 封裝的汽車級 N 溝道 650V、典型值 102mΩ、28A MDmesh DM6 功率 MOSFET 晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss) 650 V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C 28A (Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds 導(dǎo)通,最小 Rds 導(dǎo)通)10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs 115mOhm @ 10A,10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds 2000 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 223W (Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
汽車級
認(rèn)證 AEC-Q101
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK (TO-263)
產(chǎn)品特性
快速恢復(fù)體二極管
與上一代產(chǎn)品相比,單位面積 RDS(on) 更低
柵極電荷、輸入電容和電阻低
100% 經(jīng)過雪崩測試
極高的 dv/dt 強(qiáng)度
齊納保護(hù)
應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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