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FDMS86350ET80擴展了 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品線，以提供不同的漏極至源極電壓、漏極電流和 RDS(ON)。這一擴展包括用于低 RDS(ON) 和高效率的先進封裝和硅組合、熱效率封裝以及下一代增強型體二極管技術(shù)。典型應用包括 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的同步整流器、筆記本電腦或網(wǎng)絡(luò)低端開關(guān)、電信二次側(cè)整流和負載開關(guān)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：25A（Ta），198A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.4 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：155 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8030 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），187W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-PQFN（5x6）

封裝/外殼：8-PowerTDFN

應用

● 負載開關(guān)

● 主交換機

● 移動計算

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 同步整流器

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