商品名稱:NVMFS5C430NLWFAFT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS5C430NLWFAFT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:DFN8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVMFS5C430NLWFAFT1G 是 40V、200A、1.4mΩ 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設計而設計,具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側(cè)翼選件。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):38A(Ta),200A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.4 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):70 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4300 pF @ 20 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),110W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
供應商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
產(chǎn)品特性
小尺寸(5x6 毫米)
低 RDS(導通)
低 QG 和電容
NVMFS5C430NWF - 可潤濕側(cè)翼選項
通過 AEC-Q101 認證并支持 PPAP
符合 RoHS 規(guī)范
應用
反向電池保護
開關電源
電源開關(高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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