商品名稱:NTMTS0D6N04CTXG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMTS0D6N04CTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:DFNW-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NTMTS0D6N04CTXG 這款 N 溝道 MV MOSFET 采用安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝道工藝生產(chǎn),采用屏蔽門技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :533A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 0.48 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 187 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 11800 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 5W
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-DFNW(8.3x8.4)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
應(yīng)用
電機(jī)控制
直流-直流轉(zhuǎn)換器
電池管理/保護(hù)
電源轉(zhuǎn)向/負(fù)載開關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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