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NTMYS7D3N04CLTWG 是 40 V、7.3 m、52 A 功率 MOSFET，單 N 溝道晶體管。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Ta），52A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.3 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 30μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：16 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入容 (Ciss)（最大值）：860 pF @ 25 V功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），38W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

特點

小尺寸（5x6 毫米），適合緊湊型設計

低 RDS(on)，將傳導損耗降至最低

低電容，將驅動器損耗降至最低

LFPAK4 封裝，行業(yè)標準

這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范

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