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NTBG045N065SC1 650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢(shì)包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

技術(shù): SiC

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-7L

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 62 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 105 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 242 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 7 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 16 S

上升時(shí)間: 14 ns

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 26 ns

典型接通延遲時(shí)間: 13 ns

典型應(yīng)用

汽車(chē)板載充電器

用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)的汽車(chē) DC-DC 轉(zhuǎn)換器

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢(xún)。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。