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XPQR3004PB 是硅 N 溝道 MOS 晶體管。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：400A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：0.3mOhm @ 200A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：295 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：26910 pF @ 10 V

功率耗散（最大值）：750W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：L-TOGL?

封裝/外殼：8-PowerBSFN

特性

通過 AEC-Q101 認(rèn)證

低漏極-源極導(dǎo)通電阻： RDS(ON) = 0.23 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）

低漏電流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 40 V）

增強(qiáng)模式： Vth = 2.0 至 3.0 V（VDS = 10 V，ID = 1.0 mA）

應(yīng)用

汽車

開關(guān)穩(wěn)壓器

電機(jī)驅(qū)動器

直流-直流轉(zhuǎn)換器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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