商品名稱:LM74722QDRRRQ1
數(shù)據(jù)手冊:LM74722QDRRRQ1.pdf
品牌:TI
年份:23+
封裝:12-WFDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
LM74722QDRRRQ1理想二極管控制器驅動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬理想二極管整流器,具有電源通路導通和關斷控制以及過壓保護功能。3 V 至 65 V 的寬輸入電源允許12 V 和 24 V 汽車電池供電 ECU 的保護和控制。該器件可承受負電源電壓并保護負載低至 -65 V。集成理想二極管控制器(GATE) 驅動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保護。二極管,以實現(xiàn)反向輸入保護和輸出電壓保持。
產(chǎn)品屬性
類型:N+1 ORing 控制器
FET 類型:N 通道
比率 - 輸入:輸出:1:1
內(nèi)部開關:無
電流 - 輸出(最大值):2.1A
電流 - 供電:27 μA
電壓 - 供電:3V ~ 65V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側翼
封裝/外殼:12-WFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:12-WSON(3x3)
應用
● 汽車電池保護
● ADAS 域控制器
● 高級音頻放大器
● 主機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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